‘≥зика > Ќап≥впров≥дников≥ д≥оди

Ќап≥впров≥дников≥ д≥оди

Ќа сьогодн≥шн≥й день дл¤ випр¤мленн¤ електричного струму в рад≥осхемах пор¤д ≥з двухелектродними лампами все б≥льше застосовують нап≥впров≥дников≥ д≥оди, тому що вони волод≥ють р¤дом переваг.

¬ електронн≥й ламп≥ нос≥њ зар¤ду електрони виникають за рахунок нагр≥ванн¤ катода. ” p-n переход≥ нос≥њ зар¤ду утворюютьс¤ при введенн≥ в кристал акцепторноњ чи донорноњ дом≥шки. “аким чином, тут в≥дпадаЇ необх≥дн≥сть джерела енерг≥њ дл¤ одержанн¤ нос≥њв зар¤ду. ” складних схемах економ≥¤ енерг≥њ, виходить за рахунок цього, ви¤вл¤Їтьс¤ дуже значною.  р≥м того, нап≥впров≥дников≥ випр¤мувач≥ при тих же значенн¤х випр¤мленого струму б≥льш м≥н≥атюрн≥, чим лампов≥.

Ќап≥впров≥дников≥ д≥оди виготовл¤ють з герман≥¤, кремн≥ю, селену та ≥нших речовин.

–озгл¤немо ¤к створюЇтьс¤ p-n перех≥д при використанн≥ донорного дом≥шку, цей перех≥д не вдаЇтьс¤ одержати шл¤хом механ≥чного зТЇднанн¤ двох нап≥впров≥дник≥в р≥зних тип≥в, тому що при цьому виходить занадто великий зазор м≥ж нап≥впров≥дниками. ÷¤ товщина повинна бути не б≥льше межатомних в≥дстаней. ѕо цьому в одну з поверхонь зразка вплавл¤ють ≥нд≥й. ”насл≥док дифуз≥њ атом≥в ≥нд≥ю в глиб монокристала герман≥¤ в поверхн≥ герман≥¤ утворюЇтьс¤ область ≥ пров≥дн≥сть р-типу. ≤нша частина зразка герман≥ю, у ¤к≥й атоми ≥нд≥¤ не проникнули, ¤к ≥ ран≥ше маЇ пров≥дн≥сть n-типу. ћ≥ж област¤ми виникаЇ p-n перех≥д. ¬ нап≥впров≥дниковому д≥од≥ герман≥й служить катодом, а ≥нд≥й - анодом. Ќа малюнку 1 показане пр¤ме (б) ≥ зворотне (в) п≥дТЇднанн¤ д≥ода.

¬ольт-јмперна характеристика при пр¤мому ≥ зворотному з'Їднанн≥ показана на малюнку 2.

«ам≥нили лампи, дуже широко використовуютьс¤ в техн≥ки, в основному дл¤ випр¤мувач≥в, також д≥оди знайшли застосуванн¤ в р≥зних приладах.

“ехнолог≥¤ виготовленн¤ д≥ода така. Ќа поверхн≥ квадратноњ пластинки площею 2-4 см2 ≥ товщиною в невелику частку м≥л≥метра, вир≥заноњ з кристалу нап≥впров≥дника з електронною пров≥дн≥стю, розплавл¤ють шматочок ≥нд≥ю. ≤нд≥й м≥цно сплавл¤Їтьс¤ з пластинкою. ѕри цьому атоми ≥нд≥ю проникають (дифузують) у товщу пластинки, утворюють в н≥й область з перевагою дирочноњ пров≥дност≥. ¬иходить нап≥впров≥дниковий прилад ≥з двома област¤ми р≥зного типу пров≥дност≥, а м≥ж ними p-n-перех≥д. „им тонша пластинка нап≥впров≥дника, тим менший оп≥р д≥ода в пр¤мому напр¤мку, тим б≥льше виправлений д≥одом струм.  онтактами д≥ода служать крапелька ≥нд≥ю ≥ металевий диск чи стрижень з вив≥дними пров≥дниками

ѕ≥сл¤ зборки транзистора його монтують у корпус, приЇднують до електричного виводу до контактних пластин кристала ≥ виводу корпуса ≥ герметизують корпус.

ќбласть застосуванн¤

ƒ≥оди мають велику над≥йн≥сть, але границ¤ њх застосуванн¤ в≥д Ц70 до 125 — . ќск≥льки у крапкового д≥ода площа з≥ткненн¤ дуже мала, тому струми, що можуть випр¤мл¤ти так≥ д≥оди не б≥льше 10-15 ма. ≤ њх використовують в основному дл¤ модул¤ц≥њ коливань високоњ частоти ≥ дл¤ вим≥рювальних прилад≥в. ƒл¤ будь-¤кого д≥ода ≥снують де¤к≥ гранично припустим≥ меж≥ пр¤мий ≥ зворотний токи, що залежать в≥д пр¤моњ ≥ зворотноњ напруги й визначаючи його випр¤мувальн≥ ≥ м≥цност≥ властивост≥.

1

Ќазва: Ќап≥впров≥дников≥ д≥оди
ƒата публ≥кац≥њ: 2005-03-24 (809 прочитано)